EFM(Embedded FLASH Module)，就是云途MCU用来操作flash的外设，下面我们以LE0系列为例
• PFlash：Program Flash，用于存储代码和数据。
• DFlash：Data Flash，用于存储数据。
• NVR：Non-Volatile Register，用于存储特定信息，有特殊用途。
• OTP NVR：One Time Programmable，只能写一次，不能擦除。OTP_NVR可以用于保存一次性可编程数据，OTP（One Time Program）区域的特点是，只能一次写入，不支持擦写和二次写入。在具体应用中，可以在该区域保存产品ID信息或者永久固化的信息。注意，对该区域的读取并没有限制。
• HCU NVR：Hardware cryptography，用于存放加密密钥，不能被直接读取。
• CUS NVR：Customer，用于客户配置，比如关闭调试接接口，地址保护。CUS_NVR包含Flash擦写保护配置和调试端口禁用的特定的数据标签（相当于是配置寄存器的值），用户可以向该区域的特定地址写入特定值，以启用对Flash的擦写保护和禁用调试端口。CUS_NVR的剩余部分是用户可以自由使用的，但对CUS_NVR的读写操作需要先通过写入Customer Key来解锁。
• RWW：Read While Write，在写一个区域的同时读取另外一个区域。
这里补充说明一下RWW 特性（Read-While-Write）：
RWW 特性的意思是在 Flash 执行擦写命令进入 Busy 状态期间（STS 寄存器 IDLE 位变状态 0）还能否继续响应非操作区域的读访问。
如果 STS[IDLE]=0 时还能够支持读访问，则该 Flash 支持 RWW，反之则不支持 RWW。
如果芯片不支持 RWW，擦写操作时需要关闭全局中断。
原理：支持 RWW 的芯片 Flash 物理存储中存在多个 Block 物理块。在擦写其中一个 Block 时，可以同时读取其他的Block 数据。
同理 NRWW（No Read-While-Write）的芯片，其 Flash 物理存储中只有一个 Block，因此不能边写边读。
Flash的特性是：擦除之后比特位的值变成1，写入操作是将相应的比特位的值改写成0
下面是大家最关心的两个操作：
• Erase Sector 操作，最小单元为 Sector Size 大小。
status_t FLASH_DRV_EraseSector(uint32_t dest, uint32_t size)，dest 和 size 需要为 sector size 整数倍。
• Program 操作，最小单元为 Program Unit 大小。
status_t FLASH_DRV_Program( uint32_t dest, uint32_t size, const void * pData)，dest 和 size 需要为 Program Unit 整数倍，pData 需要 4 字节对齐。
对Flash物理块的操作，在同一个时间，只能执行读取、写入或者擦除的任一操作，这就意味着用户在对一个物理块进行写入或者擦除操作时，不能读取Flash中的内容。也就是说，Flash在执行写入或者擦除的时候，处理器不能从Flash中继续读取程序执行代码，否则EFM模块会直接产生Bus Error（M0+中对应为hardfault）。这也是L系列MCU（仅有一块Flash物理存储块）在对Flash操作（包括DFlash）的时必须关闭中断的原因。
在ME的手册里面有一个地方值得注意一下，扇区擦除和块擦除时间一样，mcu支持一个block里面所有扇区一起选中擦除
YTM32 L 系列的芯片是 Cortex-M0+ 内核，不支持非对齐访问数据。传入 program 的 RAM buffer，注意需要 4 字节对齐
那么我怎么知道我的sector size和Program Unit多大呢，可以直接在YTM32B1LE0_features.h里面查看定义
地址保护
在默认情况下，EFM_PROTn寄存器中的所有寄存器位均为1，表示对应的存储区域可以正常擦写。一旦其中某个寄存器位被清零，表示对应的存储区域（2K）被保护起来，向这些区域的读写操作将被EFM忽视掉。
在程序运行过程中，只能对flash上锁，不能解锁，也就是说只能将ADDR_PROT寄存器清零，不能重新置位，想要重新置位必须重启
分享几个EFM调试过程中ACCERR被置1后的分析思路：
- 擦写地址没对齐
- 擦写的过程中打开了debug工具的memory窗口
- 没有关全局中断
- 调试的时候在flash底层函数里面加了断点